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三星公布内存路线图:2027年DDR6内存将突破10Gbps

栏目:财经    来源:IT之家    作者:醉言    发布时间:2022-10-09 08:38   阅读量:19736   

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三星公布内存路线图:2027年DDR6内存将突破10Gbps

据德国媒体computerbase报道,三星在三星代工论坛2022活动中介绍了其内存路线图。

如上图,在即将到来的2023年,三星将进入1bnm工艺阶段内存芯片容量将达到24Gb—32Gb原生速度6.4—7.2Gbps内存方面,新一代GDDR7内存将于明年问世,因此AMD和NVIDIA的新一代显卡中期有可能使用GDDR7内存

此外,三星还做了一些长期设想,比如2026年推出DDR6内存,2027年推出原生10Gbps速度。

三星还公布了闪存的路线图,预计2024年推出V9 NAND芯片。

本站曾报道,三星在此前的Tech Day 2022活动中指出,其第九代V—NAND正在开发中,计划于2024年量产到2030年,三星设想超过1000层NAND堆栈,以更好地支持未来的数据密集型技术三星还宣布,全球容量最高的1Tb TLC V—NAND将于今年年底向客户提供

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