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，据日经新闻报道，该国东北大学吉川彰教授与初创企业合作，研发新一代半导体材料—氧化镓的新制造技术，成本约为传统方法的百分之一。
传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器，熔化其中的材料，制造结晶要制造直径约 15 厘米的实用性结晶，仅容器就需要 3000 万～5000 万日元，还存在结晶的质量不够稳定等课题据称由于不需要昂贵的容器等原因，利用新方法能以目前约 100 分之 1 的成本制造氧化镓结晶
该团队表示将力争在 2 年内制造出直径 6 英寸以上的结晶，推动产业化。而氧化镓的出现带来了新风向，作为超宽禁带半导体，研究证明，以氧化镓材料制作的功率器件，相较于碳化硅和氮化镓所制成的产品，更加耐热且高效，成本更低，应用范围更广。所以业内普遍认为，氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表。目前，各国的半导体企业都争先恐后布局，氧化镓正在逐渐成为半导体材料界一颗冉冉升起的新星。。
本站了解到，氧化镓作为功率半导体新一代材料受到期待，据称氧化镓的电力损耗在理论上仅为硅的约 1/3400，碳化硅的约 1/10如果纯电动汽车的马达驱动用电源采用氧化镓制的功率半导体，就算电池容量相同，也能行驶更远距离Camp，A 和东北大学的团队将利用新方法降低此前成为瓶颈的生産成本，推动实用化
TrendForce 预估，因疫情趋缓，所带动的 5G 基地台射频前端，手机充电器及车用能源传输等需求逐步提升，预期今年 GaN 通讯及功率元件营收分别达 6.8 亿和 6100 万美元，年增 30.8% 及 90.6%。在后摩尔时代，具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出，以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体，凭借其大幅降低电力传输中能源消耗的显著优势，在功率器件和射频器件领域大放异彩，成为全球半导体行业的研究焦点。
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